近紅外半導(dǎo)體檢查SWIR冷卻相機(jī)
近紅外半導(dǎo)體檢查SWIR冷卻相機(jī)
穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。

穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。

穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。

穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。

穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。

穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機(jī)在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

。